可控硅模块在控温、调光、励磁、电镀、充放电、电焊机、等离子拉弧等领域有着广泛的应用，它能够起到对电力能量大小进行调整与变换的作用，在工业、通讯、军工等场合作用大，但是，在实际应用中，仍然有人对可控硅模块不是特别了解，今天，小编就可控硅模块的主要参数进行简单介绍介绍。
可控硅模块的主要参数：
(1) 额定通态平均电流IT在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。
(2) 反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。
(3) 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个参数值。
(4) 维持电流IH在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所需的阳极正向电流。
(5)控制极触发电流Ig1 、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳极--阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的控制极电流和电压。
希望通过上述的介绍能够增强大家对可控硅模块的认识，如果想要了解更多可控硅模块知识，可持续关注本站内容更新。
|
上一条：不同情况下的可控硅负荷能力不同
下一条：可控硅电气限位是什么意思？ |
返回列表 |
